場效應(yīng)晶體管在音響數(shù)字化的今天應(yīng)用范圍越來越廣。其原理、優(yōu)點(diǎn)和使用常識在一些工具書及報刊上已有不少論述，在此不再贅述。本文通過兩個容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點(diǎn)來說明場效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前，應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOsFET)，而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的U H C、IGBT等，并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。
音響常用場效應(yīng)管的參數(shù)如下表：
 
　
　　 
從附表中可以了解到幾種頗具代表性的MOS管的主要特性數(shù)據(jù)。現(xiàn)以日立公司的老牌LDMOS管K135／J50為例加以說明。K135／J50的柵一源開啟電壓閾值為一0．15～一1．45V。實(shí)測當(dāng)Io=10mA時VO．25V，而當(dāng)I~=100mA典型值時V 增加到0,6～0、85V。可見場效應(yīng)管的壓控特性決定了柵一源損耗電壓是隨漏極電流I 增大而上升的(相對于這一點(diǎn)，雙極晶體管的V 幾乎恒為0．7V)。M OS管的內(nèi)部損耗主要取決于漏源導(dǎo)通電阻R 、的大小。K1 35／J50的參數(shù)中沒有直接給出RDs 1這一項，但是通過漏源導(dǎo)通電壓VDs(sat)：12V和ID 7A兩個數(shù)據(jù)，利用公式RDs(oN)=UDs )／ID可計算出K135／J50的R 、約為1．7 Q。這相當(dāng)于把一個1．7 Q的電阻與負(fù)載串聯(lián)，對于標(biāo)準(zhǔn)的8 Q負(fù)載而言其損失的功率已接近20％ 。如果考慮到揚(yáng)聲器在低頻時阻抗驟跌及場效應(yīng)管的負(fù)溫度電壓一電流特性(即溫度上升時電流下降，也就是這時R 增大)，那么MOS管的實(shí)際內(nèi)部損耗將更大。相比之下，雙極晶體管的情況就大不相同。例如，東芝的A1265／C3182，當(dāng)Ic=7A時V 、=2V。如果輸出為二級射隨器，那么加上末前級的損耗(<1V)，總的V 。(sat)<3V。這與K135／J50的VDs(sat)=12V相比，孰優(yōu)孰劣自然不言而喻。

(2)NOS功車管的線住輸出電流
　　
如前所述，在相同的電路條件下僅將電源電壓增加±5V左右并不能使MOS功率輸出級獲得與雙極管等同的功率。我們往往對MOS管實(shí)際工作時的動態(tài)損耗估計不足。設(shè)一個100W 的后級，當(dāng)負(fù)載為8 歐姆時，對雙極管而言電源電壓為V_Gc (8P。×RL) +2×[VcE(sat)+I ( )×RE　如這時的IcM=5A、vc。1．5V、RE=0．22 Q，那么VC 85．2V (±43V)。對MOS管而言，同樣可以算出V?=99．2V (±50V)。當(dāng)然，這是理論上的且是最大功率下的值，實(shí)際中使用非穩(wěn)壓電源時的空載電壓顯然還要高。

事實(shí)上，100W／8 Q雙極晶體管功放的交流二次側(cè)供電值大約是AC 33V ×2。當(dāng)按通常作法用AC38V×2為MOS功放供電時P 只能達(dá)到70～80W ，而且日立MOS管的高R 是依靠功放NFB網(wǎng)絡(luò)來改善總體內(nèi)阻的，因此實(shí)際大輸出時的聽感缺乏力度(當(dāng)功放設(shè)計為無反饋時更加不妙)。于是便產(chǎn)生了對MOS管的種種誤解，如MOS管大電流時線性不佳就是其中之一。

其實(shí)與雙極晶體管相比，MOS管除了高頻特性優(yōu)良、失真以偶次諧波為主外，由于無二次擊穿現(xiàn)象，因此日立公司給出K135／J50等MOS管的應(yīng)用電流可接近推薦的極限。VMOS管的線性電流可達(dá)數(shù)十安培，UHC—MOS管的脈沖電流更是高達(dá)300A以上。那么MOS音響管為什么會被誤解為大電流線性差呢?其根本原因還是對MOS管內(nèi)阻所引起的功率損耗沒有足夠的認(rèn)識以及相應(yīng)的對策。VMOS、UHC-MOS管的內(nèi)阻雖然很小，但是大電流下的V 卻高達(dá)5V以上，所以同樣應(yīng)予以重視。
1、MOSFET輸出極效率較***低
　　
MOS管輸出級的損耗比雙極晶體管大是眾所周知的。通常在相同的電路下，為了取得與雙極管一樣的輸出功率，采用的方法是將電源電壓升高±5V，以補(bǔ)償MOS管的損耗。然而，實(shí)際制作證明其遠(yuǎn)不止這么簡單。

2．JFET缺少配對容差內(nèi)的互補(bǔ)管

當(dāng)今雙極晶體管制造工藝的成熟已使NPN與PNP互補(bǔ)三極管的配對誤差縮小到被廣大專業(yè)廠商和音響發(fā)燒友所能普遍接受的程度。相比之下，場效應(yīng)管的選配就困難得多，而作為放大器輸入級用管的JFET更是缺少符合要求的互補(bǔ)對(這是目前的制造水平所決定的)。附表列出了東芝公司的孿生場效應(yīng)管(DualFET)K389／Jl09的主要特性數(shù)據(jù)比較。由附表可知，K389與J109的差異有V C C 和NF，其中C和C 兩項數(shù)值，N溝與P溝的差值要達(dá)5倍之巨。筆者有一次購買過8對K389／J109，但是在裝機(jī)前測試的結(jié)果卻頗令人失望：①所謂孿生管只是同一管殼內(nèi)的兩只管子性能一致，而同時購買的8對管中N溝之間的差別頗大，N溝與P溝的差別更大；②K389與J109的Idss、gm 及Vgs 各不相同，實(shí)際的波形測試也不對稱。最后，筆者只能從K389中選出兩只誤差為3．8％的管子作為單邊差動輸入級之用(以往選用雙極孿生管時總是不難把同極性管的誤差控制在1％，異極性管的配對誤差也不會大于3％)。通過以上的數(shù)據(jù)比較和實(shí)際測試可以得到如下啟示：JFET用于互補(bǔ)輸入級時，其V 和I一的離散性會使電路的靜態(tài)工作點(diǎn)產(chǎn)生較大的偏移，從而令電路的穩(wěn)定性變差；gm、Cis, Cis的固有差異更影響著整個推挽級的上下波形對稱和瞬態(tài)響應(yīng)速度等動態(tài)指標(biāo)。關(guān)于這一點(diǎn)，國外的一些知名廠商其實(shí)早就形成共識，如天龍、馬蘭士等的產(chǎn)品中常可見到K389等做成的場效應(yīng)差動輸入級，但總是難以見到J109的影子，也許K389／J109本來就是“拉郎配”。
與JFET相比，MOS管的耐壓、功耗和跨導(dǎo)等都容易做得較高。另外，放大器中除了輸入級以外的部分(如推動級、輸出級)，其互補(bǔ)配對要求可相對放寬，而且一些配對的缺陷也可通過電路的仔細(xì)設(shè)計加以克服。因此，MOS管在功放末級的應(yīng)用并無什么大礙。MOS管用于功放輸出級的問題不在于互補(bǔ)配對，關(guān)鍵是效率低。

3、MOSFET輸出級效率的提高

MOS功率輸出級的損耗總是比雙極晶體管的大，這是其固有特性所決定的。這里所說的提高其實(shí)應(yīng)該是如何減少M(fèi)OSFET輸出級的功率損耗。

一，采用共源輸出級，即雙極管的集電極輸出形式。該輸出方式對VMOS管更為適用，這是因為VMOS管的電流大、內(nèi)阻小，電路設(shè)計合理時可兼顧良好的效率、很低的失真和低輸出阻抗。這時的電源電壓只要比雙極管電路高±3～±5V即可。
二，運(yùn)用多管并聯(lián)輸出級。多管并聯(lián)是為了降低MOS功率管的等效通態(tài)電阻，而不是所謂的為了改善MOS管大電流線性不佳。多個MOS管并聯(lián)除了能增加電流驅(qū)動力外，還可大大減少功率損失，并且改善開環(huán)內(nèi)當(dāng)K135／J50 4組并聯(lián)時，等效內(nèi)阻降為單管的1／4即0．4 Q以下，對8 歐負(fù)載功率損耗也相應(yīng)地由20％減至5％)。另外，MOS管的并聯(lián)參數(shù)誤差可比雙極管適當(dāng)放寬，即并聯(lián)管誤差稍大也不至于使聽感變劣。
三，如要在同等電路下取得與雙極晶體管相同的輸出功率，那么MOS輸出級的電源電壓應(yīng)比用雙極管時高±10V以上。當(dāng)要減少M(fèi)OS管損耗時，可采取電壓級與電流級分別供電的方式。這時，電流級和電壓級分Nl：k,雙極管輸出級高±5V和± 10V。

筆者用運(yùn)放OPA604~DVMOS管IRF540／9540~1作了一個共源輸出級放大器，規(guī)格是v 為±40V，Po為60W／8 Q、100W／4 Q。實(shí)際的試聽效果表明其驅(qū)動力不弱，發(fā)熱量也不見得比雙極管大。作為音響發(fā)燒友，筆者當(dāng)然希望能在不久的將來用上全面達(dá)到當(dāng)今雙極管配對要求甚至超越雙極管的互~+FET、耐高壓的UHC-MOS互補(bǔ)功率管。這對于瞬息萬變的今天來說不是什么幻想，但有一點(diǎn)，希望到時候那些“補(bǔ)品”的價格不要太高了。