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    低成本隔離式3.3V到5V DC/DC轉換器的分立設計
    發布時間 2012-04-17 來源 -

    如果應用要求2kV以上的隔離電壓、60%以上的轉換器效率或者標準組件可靠的有效性,那么分立設計就是一種能夠替代集成組件的低成本方案。分立DC/DC轉換器設計的缺點是需要做大量的工作——選擇穩定的振蕩器結構和先斷后通電路,選擇可以通過標準邏輯門有效驅動的MOSFET,適宜實施溫度和長期可靠性測試。所有這些努力都要花費時間和資金。因此,在倉促進行這樣一個計劃以前,設計人員應該考慮到下列事項:集成組件通常已通過溫度測試,并且擁有其他工業資質。這些組件不僅僅是最可靠的解決方案,而且還擁有較快的上市時間。

    隔離式3.3V到5V轉換器通常用于遠距離數據傳輸網絡,這種網絡中總線節點控制器由一個3.3V電源工作以節省電量,而總線電壓為5V,以保證在遠距離傳輸過程中的信號完整性并提供高驅動能力。盡管市場上已經有了3.3V到5V轉換的隔離式DC/DC轉換器組件,但集成的3.3V到5V轉換器仍然很難找到。即使找到,這些特定的轉換器(特別是那些具有穩定輸出的轉換器)通常都有較長的產品交付時間、價格相對昂貴并且一般都有一定的隔離電壓限制。

      

      不穩定輸出轉換器每1000片的起售定價一般為4.50到5.00美元,而穩定輸出的轉換器通常為此價格的兩倍,大約為10.00美元或更高。因此,合理的做法是購買具有不穩定輸出的轉換器,或者利用降壓電容對輸出進行緩沖,或者將其送入低成本、低壓降穩壓器 (LDO),例如:TI的TPS76650。

      圖1所示的分立DC/DC轉換器設計僅使用了一些現有的標準組件(例如:邏輯IC和MOSFET等),服務于變壓器驅動器,以及一個用于穩定輸出電壓的LDO。該電路使用許多通孔組件制成樣機,從而使其比集成組件的體積要大,但是由于使用TI的Little Logic?器件,板空間得到了極大縮減。

      這種設計的主要好處是較少的材料清單 (BOM),以及為1到6kV范圍隔離電壓選擇隔離變壓器的自由度。我們的目標是:通過使變壓器驅動器級為穩定輸出全集成DC/DC轉換器和獨立變壓器驅動器提供一款低成本的替代方案。

    工作原理

      低成本、隔離式DC/DC轉換器一般為推挽式驅動器類型。工作原理非常簡單。帶推挽輸出級的方波振蕩器驅動一個中心抽頭變壓器,其輸出經過整流,可以穩定或非穩定 DC 形式使用。一個重要的功能性要求是方波必須具有50%占空比,以確保變壓器鐵心對稱磁化。另一個要求是磁化電壓 (E) 和磁化時間 (T) 的乘積(稱作ET乘積,單位為Vμs),不得超出由其廠商規定的變壓器典型 ET乘積。我們還必須緊挨振蕩器安裝使用先斷后通電路,以防止推挽輸出級的兩個變壓器鐵芯柱同時導電從而引起電路故障。

    分立設計

      著名的三反相門振蕩器由U1a、U2a和U2b組成,選擇它是因為它在供電波動方面較為穩定。通過一個100-pF陶瓷電容器(COSC)和兩個10-kΩ電阻器(ROSC1和ROSC2),它的正常頻率被設定為330kHz。在3.0-V到3.6-V電源電壓波動范圍內,振蕩器擁有接近50%的占空比,以及低于±1.5%的最大頻率波動。圖2顯示了ROSC1和ROSC2(TP1) 相加點和振蕩器輸出 (TP2) 處的波形。所有電壓均為參考電路基準電壓測得。

      圖2 TP1和TP2的振蕩器波形

    施密特觸發電路NAND柵極(U1c、U1d)實現先斷后通功能,以避免MOSFET導通階段交疊。其他兩個NAND門(U2c,U2d)配置為反相緩沖器,從而產生驅動N通道MOSFET(Q1、Q2)必需的正確信號極性。圖3顯示了完整的先斷后通動作。為了適應標準邏輯門的有限驅動能力,我們選擇了MOSFET,因為其較低的總電荷和較短的響應時間。
    兩個二極管(D1、D2)均為快速肖特基整流器,在滿負載電流條件下(200 mA 時 VFW 《 0.4 V)提供低正向電壓的同時進行全波整流。從這些二極管后面的降壓電容器 (Cb3) 直接獲得輸出電壓是可能的。這種情況下,輸出不穩定,但具有 DC/DC 轉換器的最大效率。然而,設計人員必須保證不超出受影響電路的最大電源電壓,其在低負載或開路狀態下時較容易發生。如果最小負載條件下的非穩定輸出電壓過高,則必需在全波整流器之后使用一個線性穩壓器,以提供穩定的輸出電源電壓。

    線性穩壓器的主要好處是低紋波輸出。其他好處還包括短路保護和超溫關閉。但是,主要缺點是效率非常低。

      圖5顯示了4.93V輸出電壓條件下圖1所示電路的紋波,而圖6將該電路的效率同具有穩定輸出的集成DC/DC組件進行了對比。

    下表提供了分立式DCDC轉換器的BOM。請注意,旁路電容器值大于常用于一些低速應用的10 nF。這是由于高速CMOS技術(例如:AHC、AC和LVC等)具有高動態負載,因此旁路電容器值必須為0.1 μF或者更高以保證正常運行。這對驅動MOSFET的反相緩沖器特別重要,其旁路電容器值為0.68 μF。

     

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